本周，Counterpoint Research給出了按成熟制程（節點≥40nm）產能排序的*晶圓代工廠商Top榜單，如下圖所示。
可以看出，排名前四的廠商分別為：臺積電（市占率28％），聯電（13％），中芯*（11％），三星（10%）。
成熟制程在2020年非常火爆，產能嚴重短缺，這給各大晶圓代工廠帶來了巨大的商機。而從2021年的產業發展形勢來看，這種短缺狀況在近期內還難以緩解。對此，Counterpoint Research認為，2021年，排名靠前的代工廠的成熟制程僅會分配給特定應用。舉例來說，即便8英寸晶圓需求強勁，聯電（UMC）宣布，2021年8英寸晶圓產能僅擴充1%-3%。占*成熟制程產能約10%的中芯*由于受到美國禁令制約，在產能擴充上也充滿不確定性。整體而言，這波產能短缺屬于結構性問題，要等到2022年所有供應鏈都重建好庫存后才能緩解。
制程工藝不是越*越好
目前來看，半導體制程工藝發展呈現出兩大趨勢：，一是繼續追求*制程，典型代表是臺積電、三星、英特爾、中芯*；二是聚焦特色工藝，滿足多樣化需求，代表廠商有聯電、格芯、**、華虹宏力等。
而與成熟制程相比，*制程有短板。一是上游IC設計費用越來越高，*制程可以為芯片提供*的功耗比，但是其代際設計費用增速越來越高，例如，設計7nm芯片的成本超過 3億美元，華為麒麟980芯片就是用臺積電7nm工藝制造的，麒麟980是由超過1000名工程師組成的團隊歷時3年時間、經歷超過5000次的工程驗證才成功應用的。
據IBS的測算，如果基于3nm開發英偉達GPU，成本將高達15億美元。從芯片設計經濟效益方面來看，7nm是長期存在的節點，5nm/3nm的PPA和成本難以達到平衡點，除非有超量的出貨來均攤成本。
成熟制程的優勢
成熟制程主要用來制造中小容量的存儲芯片、模擬芯片、MCU、電源管理( PMIC)、模數混合、傳感器、射頻芯片等。在應用層面，云計算、5G射頻器件需求的快速增長為成熟制程提供了強勁動力。
晶圓代工業正在向更加細分方向發展，不同于臺積電和三星追逐*制程，UMC、格芯、 TowerJazz、**、華虹宏力等更多關注于各自擅長的特色工藝，通過在已有成熟工藝方面的投入，提升產品性價比及競爭力。
從需求側來看，特色工藝的市場應用前景廣闊，具備吸納更多企業在各自特色領域內做精做強的基礎。目前來看，MCU、模擬電路和分立器件這三大類芯片占整體市場的份額接近 50%，且其發展更加穩健，為特色工藝應用提供了基礎。更加值得關注的是，與*工藝相比，特色工藝在晶圓代工業務模式上滲透率相對較低，傳統邏輯器件方面，除了英特爾外，主要廠商基本采用“設計-代工-封測”的分工合作模式，而在模擬器件、MCU、分立器件領域，仍然以IDM自家生產為主。這使得成熟制程工藝代工業務的拓展有了更大的空間。
另外，特色工藝的供應商在盈利能力方面的波動性相對較小，一方面，需求端的穩定性使廠商在經營管理方面的可預期性更強，另一方面，由于制程的成熟度相對較高，在設備支出和研發投入規模方面，特色工藝廠商相對較小，使其在成本控制方面具備優勢。
成熟制程工藝有哪些呢？具體來看，主要包括以下幾種。
驅動IC： 隨著OLED面板滲透率上升，OLED廠商市占率提高，而傳統OLED DDIC以80nm及以上制程為主，其訂單量上升提高了更高制程節點的產能。
電源管理芯片： 受益于5G推進，手機搭載的數量大幅增長，且快充芯片的使用量也逐步提升。此外，TWS耳機等新品的推出也拉動了電源管理芯片和NOR Flash需求。傳統PMIC制程節點為0.18μm /0.11μm，市場需求上漲為該成熟制程和相應的特色工藝需求提供了動力。
傳感器： 手機攝像頭數量不斷提升，其中配套的低像素CIS帶動0.18μm等制程節點需求提升，普通高像素CIS也只需55nm制程節點，進一步拉動了成熟制程代工需求。指紋識別方面，手機領域的屏下光學、電容側邊、超聲波等逐步滲透到智能家居、金融、汽車等領域，該類產品多采用0.11μm/0.18μm制程，相應的成熟制程和特色工藝平臺越來越受歡迎。
代表企業
在市場需求的帶動下，掌握成熟制程的晶圓代工廠能依靠產能的調整和擴張提升市占率，特別是在以*為代表的東亞地區，需求增長*快。中芯*、聯電、**、TowerJazz等以成熟制程代工為主的廠商，基本以分立器件、驅動IC、PMIC和eNVM等為主。此外，雖然臺積電和三星以*制程為主，但由于這兩家的體量很大，且同時兼顧成熟制程，使得它們在成熟制程市場的占比同樣占據優勢地位，特別是臺積電，無論是*晶圓代工總體排名，還是成熟制程榜單，該公司都處于龍頭地位。
中芯*方面，成熟制程是該公司的主要收入來源。以2020上半年為例，0.15μm /0.18μm、 55nm/65nm和40nm/45nm分別貢獻了其營收的33.4%、32.6%和14.9%。
中芯*開發了多種特色工藝平臺，如電源/模擬、高壓驅動、eNVM、混合信號/射頻、圖像傳感器等。其中，電源/模擬技術基于現有的低功耗邏輯工藝平臺，可提供模塊架構，可提供中壓和高壓器件，高壓驅動技術平臺涵蓋 0.15μm、55nm、40nm等；eNVM技術平臺涵蓋0.35μm至40nm技術節點，具有低功耗、耐久性突出的特點。
臺積電方面，從該公司2020年第4季度財報可以看出，40nm/45nm營收占總營收的8%，65nm占5%，90nm占2%，0.11μm/0.13μm占3%，0.15μm/0.18μm占7%，0.25μm及以上占1%。這樣，臺積電在該季度成熟制程的合并營收占總營收的26%，還是很可觀的數字。
從歷史發展來看，臺積電于2004年開始從以0.11μm+制程為主的低端晶圓制造過渡到以40nm-90nm的更*制程工藝為主的晶圓制造，并于2011年底開始從以中低端為主的晶圓制造過渡到以28nm及更*制程工藝為主的晶圓制造。
三星方面，目前有四條產線，包括三條12英寸和一條8英寸的，12英寸晶圓代工線分布在韓國和美國，主要針對相對高端的制程工藝，包括65nm、45nm、32/28nm HKMG、14nm FinFET工藝。8英寸晶圓代工線于2016年開放，涵蓋180nm到65nm節點，主要用于eFlash、功率器件、CIS，以及高壓制程等。
聯電方面，由于驅動IC、PMIC、RF、IoT應用等代工訂單持續涌入，聯電8英寸晶圓產能滿載。不僅如此，據悉，其2021上半年的產能也已經*滿載。
聯電是業內首家對外宣布放棄10nm及更*制程工藝的晶圓代工廠。2017年7月，該公司啟用了雙CEO制度，那之后的一年內，他們就對市場做了縝密的調研，并在一年后，也就是2018年7月，對外宣布聚焦在成熟制程，而不再對10nm及更*制程進行研發投入。
具體來看，無論是8英寸，還是12英寸晶圓廠，聯電都聚焦在了各種新的特殊制程工藝上，尤其是針對物聯網、5G和汽車電子這些在未來具有巨大市場和發展前景的應用領域，如聯電的汽車電子業務，過去幾年的年增長率都超過了30%。包括RF、MEMS、LCD驅動芯片、OLED驅動芯片等領域，聯電都有目標性的強化技術，并一直在提升市占率。
在特殊工藝方面，市場對LCD驅動芯片、OLED驅動芯片需求量很大，多數采用的是80nm、40nm工藝，在此基礎上，聯電將這些芯片制造導入到了28nm上，而在MCU的特殊工藝方面，聯電也在持續發展。
穩健且光明的發展前景
市場對成熟制程工藝需求迫切，各大晶圓代工廠也都很重視這塊業務，行業普遍看好其發展前景。
IC Insights發布的《2020-2024年*晶圓產能》報告認為，隨著芯片特征尺寸微縮速度持續放緩，芯片設計人員發現越來越難以證明較高的成本能得到合理的回報。因此，*與成熟制程之間的利弊愈加明確，不同公司所采用的制程也愈加有針對性。這就使得各種制程都有展現各自優勢的空間。
在這樣的發展趨勢下，按照IC Insights的統計和預測，各種半導體制程的市占率正向著相對更加均衡的方向發展，如下圖所示。
從圖中可以看出，40nm及以上成熟制程的比例在這些年當中沒有出現明顯變化，且市場規模很可觀。
40nm以上的成熟制程，無論是180nm以下，還是180nm以上的，市占率都很穩定。這也正是諸多晶圓代工廠長期專注于成熟工藝，而不向*制程投入過多資本和精力的底氣所在，同時，也是格芯和聯電放棄**制程的主要原因。無論*制程如何發展，未來，成熟制程工藝的市場依然會很廣闊，依然具有很好的投資價值。
