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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)和BJT(雙極型三極管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。IGBT有分立式單管和模塊，各有其應(yīng)用范圍。在工業(yè)方面，用于交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、UPS不間斷電源、風(fēng)電與太陽能設(shè)備，變頻器等；在消費(fèi)電子方面，用于家用電器、充電樁，電動(dòng)車，電動(dòng)工具等。